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新發明|新記憶體600度高溫照運作

By on December 12, 2024

原文刊於信報財經新聞「EJ Tech 創科鬥室

傳統的矽基半導體,當加熱到攝氏150度便開始無法控制電流,將清除記憶體的資料。美國密歇根大學開發一種新型記憶體,設有兩層結構(半導體氧化鉭及金屬鉭),再移動帶負電的氧原子來記憶,標榜能夠在超過攝氏600度高溫下運作,數據可以保存24小時以上,預料適用於核融合反應堆、噴射引擎、地熱井及悶熱的行星使用;論文發表在學術期刊Device

(美國密歇根大學圖片)

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