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美研新型光刻機可製0.7納米晶片

By on September 27, 2022

原文刊於信報財經新聞「StartupBeat創科鬥室」

Zyvex Litho 1採用電子束光刻（EBL）技術，據稱可生產0.7納米製程晶片。（Zyvex Labs網上圖片）

眾所周知，製造晶片必須具備光刻機，目前全世界只有荷蘭艾司摩爾（ASML）等數間企業掌握生產光刻機的技術。不過，最近美國納米技術公司Zyvex Labs宣布，研發一款號稱精度最高的全新光刻系統Zyvex Litho 1，日後有望生產0.7納米製程晶片。

現時ASML所採用的極紫外光光刻（EUV Lithography）技術，足以生產3納米製程的晶片。預計到了2025年，新一代光刻機將投入運作，屆時能生產出兩納米製程晶片。

STM掃描速度慢 產量較低

至於Zyvex新研發的Zyvex Litho 1則以掃描隧道顯微鏡（STM）為基礎，採用電子束光刻（Electron Beam Lithography, EBL）技術，可以製作出0.7納米製程晶片，技術比極紫外光光刻更勝一籌。

然而，STM的掃描速度很慢，因此Zyvex Litho 1的晶片產量很低，根本應付不了當前晶片市場的龐大需求，估計Zyvex Litho 1只能用作生產量子電腦專用晶片，無法取代EUV光刻機的角色。

由於STM的掃描速度很慢，Zyvex Litho 1的晶片產量很低。（Zyvex Labs網上圖片）

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