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科大新技術｜提升無掩模光刻效能
By 信報財經新聞 on December 31, 2024
原文刊於信報財經新聞「EJ Tech 創科鬥室」
光刻機是製造半導體的重要設備，以短波長的紫外光構成不同圖案，從而生產出各種集成電路晶片，惟缺點是器件尺寸大及耗能。香港科技大學工學院全球首創一款深紫外microLED顯示陣列晶元，當中可配合無掩模紫外光光刻技術，提升其光輸出功率密度準確性，並以較低成本及更速效的方法，推動半導體晶片生產的技術發展；論文發表在學術期刊《自然光子》。
首創深紫外顯示陣列晶元
這項研究由科大先進顯示與光電子技術國家重點實驗室創始主任郭海成【下圖】指導，並與南方科技大學和中國科學院蘇州納米所合作，於「第十屆國際第三代半導體論壇」，被評為2024年度中國第三代半導體技術十大進展之一。研究團隊製造一個無掩模光刻原型機平台，並製作首個由深紫外microLED無掩模曝光的microLED顯示陣列晶元，多項關鍵技術突破包括：提高光源功率及效能、圖案顯示解像度、提升熒幕性能及快速曝光能力。
郭海成指出，近年高精度的無掩模光刻技術，成為半導體行業的新興研發熱點，它能夠更靈活調整曝光圖案，提供更多樣化的定製選項，並節省製造光刻掩模版的成本。今次團隊製作的microLED顯示晶元，有效地把紫外光源及掩模版的圖案融為一體，迅速地提供足夠的輻照劑量，為光阻劑進行光學曝光。團隊下一步計劃改進原型機，開發2K至8K高解像度的深紫外microLED顯示熒幕。
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