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新技術|英飛凌首製成12吋GaN晶圓
By 信報財經新聞 on September 13, 2024
原文刊於信報財經新聞「EJ Tech 創科鬥室」
德國晶片製造商英飛凌(Infineon)周三(11日)宣布,成功開發出全球首個300毫米(12吋)氮化鎵(GaN)晶圓技術,生產晶片數量是200毫米(8吋)晶圓的2.3倍。該企已在旗下奧地利菲拉赫(Villach)功率晶圓廠,利用現有12吋矽生產設備的整合試產線,製造出12吋氮化鎵晶圓。
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外購技術獲突破 料2027量產
以氮化鎵為基礎的半導體,通常用於工業、汽車、消費、計算及通訊上,涵蓋人工智能、太陽能電池板、摩打控制等系統的電源。英飛凌行政總裁漢貝克(Jochen Hanebeck)稱,該企正掌握三種材料:矽(Si)、碳化矽(SiC)及氮化鎵。
彭博報道,英飛凌去年斥資8.3億美元(約64.74億港元),收購加拿大渥太華的GaN Systems,之後才實現生產突破。報道引述摩根大通分析師說,英飛凌氮化鎵晶圓的樣本,相信到明年底才能提供,可能到2027年實現大批量產。
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支持EJ Tech
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